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總經理： 井 旭
電話： 0531-88153122
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郵箱 ： jingxu@coupletech.com
地址： 山東省濟南市歷下區華陽路65號北樓3樓
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產品特性：
摻釹釩酸釔（Nd:YVO4）晶體是一種性能優良的激光晶體，常應用于半導體泵浦尤其是中低功率的激光器。與Nd:YAG相比Nd:YVO4晶體的優勢是對泵浦光有更高的吸收系數和更大的受激發射截面，能輸出線性偏振光。半導體泵浦條件Nd:YVO4晶體與LBO, BBO, KTP等高非線性系數的晶體配合使用，能夠達到更好的倍頻轉換效率。
應用范圍：
可以應用于輸出近紅外、綠色、藍色到紫外線（RGB激光器）等全固態激光器。而且Nd:YVO4晶體使半導體泵浦固態激光器更小型化，另外拓展了單縱模輸出方面。Nd:YVO4激光器在加工、醫學、激光印刷、數據存儲等多個領域有著廣泛的應用，此外，Nd:YVO4和Nd:YVO4鍵合晶體的應用領域還在不斷拓寬。
優勢：
●在808nm左右的泵浦帶寬，約為Nd:YAG的5倍
● 在1064nm處的受激發射截面是Nd:YAG的3倍
● 光損傷閾低，高斜率效率
●雙軸晶體，輸出為線偏振光
標準要求 | |||
截面 | ~ 12mm2 | 長度 | 0.5 ~ 30mm |
平面度 | λ/8 @ 633nm | 波前畸變
| λ/8 @ 633nm |
側垂 | <5 arc min. | 受激輻射截面 | 25 x10-19cm2 |
平行 | <10 arc sec. | 常規波長應用 | 1064nm;1342nm;914nm |
濃度范圍 | 0.1% ~ 3% | 濃度控制精度 | ±0.05% |
定向 | a-cut, c-cut | 定向精度 | <6 arc min. |
光潔度 | 10/5 膜后 20/10 | 損傷閾值 | 800MW/cm2 @ 1064nm,10ns,10Hz |
鍍膜 Coatings | AR/AR@ 1064nm&808nm(R<0.2%)；AR/AR@ 1064nm&808nm&880nm(R<0.2%) AR/AR@ 1064nm&808nm&1342nm(R<0.5%) AR/AR@ 1064nm&808nm&914nm(R<0.5%) | ||
（表1）
標準規格 | |||
序列號 | 濃度 | 晶體尺寸 | 膜系 |
CPNDEO-03-0310 | 0.3% | 3x3x10mm3 | AR/AR @ 1064nm + 808nm |
CPNDEO-05-0415 | 0.5% | 4x4x15mm3 | AR/AR @ 1064nm + 808nm |
CPND-05-0430-W | 0.5% | 4x4x30 mm3 | AR/AR @ 1064+(800-895)nm |
CPND-03-0308 | 0.3% | 3x3x8mm3 | AR/AR @ 1064+808+1342nm |
CPNDDBC-0.3-0310 | 0.3% | 3x3x(2+8)mm3 | AR/AR @ 1064nm + 808nm |
CPNDDBC-03-0320 | 0.3% | 3x3x(2+16+2)mm3 | AR/AR @ 1064nm + 808nm |
可提供濃度范圍 | 0.1%~ 3% | 濃度控制精度 | ±0.05% |
定向： | A-cut C-cut | 受激輻射截面 | 25x10-19cm2 1064nm |
定向精度 | <6分 | 損傷閾值 | 800MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz |
常規波長應用 | 1064nm; 1342nm; 914nm | ||
我司可提供Nd:YVO4單端, 雙端鍵合晶體以及YAG+Nd:YAG, Nd:YAG+Cr:YAG, Yb:YAG+Cr:YAG鍵合晶體等。 | |||
（表2）
濟南快譜光電技術有限公司
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